Intel官方宣布，3nm級別的新工藝Intel 3已經(jīng)在美國俄勒岡州、愛爾蘭的兩座晶圓廠內(nèi)投入大規(guī)模量產(chǎn)，用于最近發(fā)布的至強(qiáng)6能效核版本Sierra Forest，以及即將發(fā)布的至強(qiáng)6性能核版本Granite Ridge。

Intel 3工藝相當(dāng)于酷睿Ultra上使用的Intel 4工藝的升級加強(qiáng)版，但只會(huì)用在需要頂級性能的數(shù)據(jù)中心至強(qiáng)產(chǎn)品線，也就是至強(qiáng)6這一代，同時(shí)開放對外代工。

酷睿產(chǎn)品線不會(huì)用它，Intel 4之后直接跳到全新的Intel 20A，就是下半年要發(fā)布的高性能Arrow Lake，而低功耗的Lunar Lake第一次全部交給臺積電代工，核心計(jì)算模塊使用臺積電N3B 3nm，平臺控制模塊使用臺積電N6 6nm。

Intel之前曾公開表示，Intel 3相比于Intel 4邏輯縮微縮小了約10％(可以理解為晶體管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)則提升了17％。

Intel 3的主要變化有：

－ EUV極紫外光刻的運(yùn)用更加?jì)故欤诟嗌a(chǎn)工序中使用EUV。

－ 引入更高密度的設(shè)計(jì)庫，提升晶體管驅(qū)動(dòng)電流，并通過減少通孔電阻，優(yōu)化互連技術(shù)堆棧。

－ 產(chǎn)量提升更快。

未來，Intel還將推出Intel 3的多個(gè)演化版本，滿足客戶的多樣化需求。

－ Intel 3-T：引入采用硅通孔技術(shù)，針對3D堆疊進(jìn)行優(yōu)化；

－ Intel 3-E：擴(kuò)展更多功能，比如射頻、電壓調(diào)整等；

－ Intel 3-PT：增加硅通孔技術(shù)的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)至少5%的性能提升。